光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工業的，以后才用于電子工業。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術節點，光刻膠的厚度已經減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 。為此，研發了含Si的光刻膠，這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料(常被稱作Underlayer)，其對光是不敏感的。曝光顯影后，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉移到Underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，含Si的光刻膠刻蝕速率遠小于Underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 。

在這種情況下，光刻膠的顆粒管控就顯得尤為重要。PMT-2在光刻膠應用中一般常用0.06-0.2um和0.1-0.5um，這兩個檢測范圍。普洛帝測控給某院某部門提供了成套的光刻膠檢測系統。本系統已經應用到實際監測中，并良好運轉。